品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB45N60SWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:144ns
反向恢复时间:376ns
关断损耗:550µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:134nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,45A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S4-02
工作温度:-55℃~+175℃
功率:158W
阈值电压:2V
栅极电荷:134nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.58mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S4-02
工作温度:-55℃~+175℃
功率:158W
阈值电压:2V
栅极电荷:134nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.58mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB45N60SWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:144ns
反向恢复时间:376ns
关断损耗:550µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:134nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,45A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB45N60SWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:144ns
反向恢复时间:376ns
关断损耗:550µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:134nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,45A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S4-02
工作温度:-55℃~+175℃
功率:158W
阈值电压:2V
栅极电荷:134nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.58mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: