品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:100pF@18V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:100pF@18V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW90R340C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75,"22+":653}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R408QM,L1Q
工作温度:175℃
功率:3W€210W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8300pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.43mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1K+":1337}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2729-E
功率:150W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3.3nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: