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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 2.5V@1mA
    当前匹配商品:2400+
    商品信息
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    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2500个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2500个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSL020P03FRATR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30 起订299个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30 起订299个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010ET30

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:30A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8K11TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2216 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2216

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:118pF@7.5V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ015P10HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8J5TR 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8J5TR 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8J5TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R306PL1,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R306PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€210W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.34mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2933-E 起订222个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2933-E 起订222个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2933-E

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2706GR-E1-AT 起订312个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2706GR-E1-AT 起订312个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2706GR-E1-AT

    功率:15W€3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@5V

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:20A€11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2701GR-E1-AT 起订211个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2701GR-E1-AT 起订211个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":5000,"13+":15000,"15+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2701GR-E1-AT

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G 起订553个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G 起订553个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW€73.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3233pF@12V

    连续漏极电流:13.2A€117A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRQ020P03TCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRQ020P03TCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRQ020P03TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP 起订11个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP 起订11个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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