品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H663NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:63W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:67A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:540mA
类型:MOSFET
导通电阻:346mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H663NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:63W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:67A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):10000psc
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
连续漏极电流:540mA
导通电阻:346mΩ
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
功率:360mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:55V
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):10000psc
规格型号(MPN):BSS670S2LH6433XTMA1
连续漏极电流:540mA
导通电阻:346mΩ
栅极电荷:1.7nC
包装方式:Reel
功率:360mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:55V
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4898}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0501NLSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3.8A
类型:MOSFET
导通电阻:126mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4898}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0501NLSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: