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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5H663NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：63W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：67A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：79W

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栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

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栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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功率：360mW

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栅极电荷：1.7nC

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连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

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包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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功率：360mW

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栅极电荷：1.7nC

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连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

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包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4538}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：79W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5H663NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：63W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：67A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：10000psc

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

连续漏极电流：540mA

导通电阻：346mΩ

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

功率：360mW

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：55V

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：10000psc

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

连续漏极电流：540mA

导通电阻：346mΩ

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

功率：360mW

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：55V

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：4898}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

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功率：52W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-BE3

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功率：3.6W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3.8A

类型：MOSFET

导通电阻：126mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

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功率：52W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：4898}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：2.3nC

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连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

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包装清单：商品主体 * 1