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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2650T1E-E2-AT 起订674个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2650T1E-E2-AT 起订674个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":270000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2650T1E-E2-AT

    功率:1.1W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装

    品牌:Sanyo Denki

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.44W€930mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76.5nC@10V

    输入电容:5.505nF@15V

    连续漏极电流:147A€17.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6557}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 2N7002W 起订500个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 2N7002W 起订500个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订11个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订11个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 2N7002W 起订500个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 2N7002W 起订500个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ036NE2LSATMA1 起订10000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ036NE2LSATMA1 起订10000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:37W€2.1W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.2nF@12V

    连续漏极电流:40A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2680T1E-E2-AT 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2680T1E-E2-AT 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":567000}

    包装规格(MPQ):508psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2680T1E-E2-AT

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订1000个装
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订1000个装

    品牌:Sanyo Denki

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.44W€930mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76.5nC@10V

    输入电容:5.505nF@15V

    连续漏极电流:147A€17.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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