品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1G08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1G08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1G08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK33S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1G08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1G08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: