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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD256 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD256 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD256

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1165pF@75V

    连续漏极电流:3A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCT06P10-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCT06P10-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT06P10-TP

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4178DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4178DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P03A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P03A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU45P03A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2152pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6464pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4130

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@30V

    连续漏极电流:6.5A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR403EDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@50V

    连续漏极电流:11.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7296 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€20.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:5A€12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6464pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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