采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP613PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：70，"19+"：30180，"MI+"：700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@12V
连续漏极电流：31A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD18P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：833，"23+"：1282，"MI+"：8934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：248}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8888
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1585pF@15V
连续漏极电流：13.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN028-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：89W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1634pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@31µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2617}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
