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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP613PH6327XTSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€132W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@75V

    连续漏极电流:8A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65S3 起订199个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65S3 起订199个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":70,"19+":30180,"MI+":700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP190N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:144W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€132W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@75V

    连续漏极电流:8A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N06NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N06NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:4V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P10TE 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P10TE 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G12P10TE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:44.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ014NE2LS5IFATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ014NE2LS5IFATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@12V

    连续漏极电流:31A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD86250 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€132W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@75V

    连续漏极电流:8A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€61W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@50V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订719个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订719个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订559个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订559个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4026-1E 起订103个装
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4026-1E 起订103个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BFL4026-1E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0501NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8888 起订1177个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8888 起订1177个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":248}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8888

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1585pF@15V

    连续漏极电流:13.5A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN028-100YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN028-100YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1634pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€61W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@50V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R80ANH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€61W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@50V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD22N08S2L50ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@31µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N06NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N06NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2617}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:4V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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