品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":70,"19+":30180,"MI+":700}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:144W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€132W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@75V
连续漏极电流:8A€50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21313C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2490}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":833,"23+":1282,"MI+":8934}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":248}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8888
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1585pF@15V
连续漏极电流:13.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1634pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R80ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€61W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD22N08S2L50ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@31µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2617}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: