品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":61260,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0803LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:10A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2301CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":303000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":115,"21+":9000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A€3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17309Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@15V
连续漏极电流:20A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@18A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@22A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A€3.1A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: