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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0803LSATMA1 起订234个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0803LSATMA1 起订234个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":61260,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0803LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:10A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UFY4Q-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订1817个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订1817个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":303000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VPEZ 起订3783个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VPEZ 起订3783个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":115,"21+":9000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A€3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17309Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17309Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@18A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A€3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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