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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N10NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N10NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@50V

    连续漏极电流:8A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@35A,10

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:27A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R190CFD7AAKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R190CFD7AAKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R190CFD7AAKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:77W

    阈值电压:4.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1291pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1 起订785个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1 起订785个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R460CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@100V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI90R1K2C3XKSA2 起订410个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI90R1K2C3XKSA2 起订410个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1890,"23+":100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI90R1K2C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R170CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R170CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R190CFD7AATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R190CFD7AATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R190CFD7AATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:77W

    阈值电压:4.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订303个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订303个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":858}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":63000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7582

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@13V

    连续漏极电流:16.7A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7680 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€33W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:14A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8007AND3FRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8007AND3FRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8007AND3FRATL

    功率:140W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8007AND3FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8007AND3FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8007AND3FRATL

    功率:140W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R0-40HX

    工作温度:175℃

    功率:83W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N10NS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N10NS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@50V

    连续漏极电流:8A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC098N10NS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC098N10NS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC098N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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