品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:76W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@50V
连续漏极电流:8A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:27A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R190CFD7AAKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1291pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1084pF@15V
连续漏极电流:35.6A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R460CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:74W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:13.1A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@3.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1890,"23+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI90R1K2C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:5.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1291pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":858}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:76W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8007AND3FRATL
功率:140W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@20V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8007AND3FRATL
功率:140W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M5R0-40HX
工作温度:175℃
功率:83W
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@50V
连续漏极电流:8A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC098N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: