品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38945}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30025}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":798}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8807}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€237W
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4815pF@75V
连续漏极电流:18A€128A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@69A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38945}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":38945}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5002,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.8V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€237W
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4815pF@75V
连续漏极电流:18A€128A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@69A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: