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    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N90CT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N90CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订193个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订193个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":38945}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC037N12NM6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€214W

    阈值电压:3.6V@111µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@60V

    连续漏极电流:19.2A€163A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30025}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP12CN10LGXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP12CN10LGXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@50V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@69A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订697个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订697个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101A 起订93个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101A 起订93个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8807}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N60ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":8300,"13+":572,"9999":67}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€237W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4815pF@75V

    连续漏极电流:18A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@69A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3167pF@12V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.81mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":38945}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":38945}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5ATMA1 起订315个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC037N08NS5ATMA1 起订315个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5002,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC037N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.8V@72µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS6D0N15MC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€237W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4815pF@75V

    连续漏极电流:18A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@69A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR5410TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR5410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R50ANH1,LQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R50ANH1,LQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R50ANH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N60E-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:937pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3167pF@12V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.81mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R50ANH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R50ANH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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