采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1820，"20+"：1940，"22+"：4241，"23+"：11785}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1986}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1759G-E1-AT
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8816EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR698DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€23W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@2.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
