品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7440PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4730pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":95,"21+":4500,"23+":1300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7440PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4730pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC130N04-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7140pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC130N04-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7140pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC130N04-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7140pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":95,"21+":4500,"23+":1300}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7440PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4730pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: