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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VUG-E1-AY 起订318个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VUG-E1-AY 起订318个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订39个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订39个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0630N1507L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9895pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB7440PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订636个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订636个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":95,"21+":4500,"23+":1300}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB7440PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP80N055MDG-S18-AY 起订300个装
    NEC Mosfet场效应管 NP80N055MDG-S18-AY 起订300个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":6350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0630N1507L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9895pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP80N055MDG-S18-AY 起订1000个装
    NEC Mosfet场效应管 NP80N055MDG-S18-AY 起订1000个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":6350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC130N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7140pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC130N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7140pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0630N1507L 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0630N1507L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9895pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC130N04-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC130N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7140pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB7440PBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30,"18+":95,"21+":4500,"23+":1300}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB7440PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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