采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7439DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@5.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4370pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：11.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7440PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：95，"21+"：4500，"23+"：1300}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7440PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N055MDG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N055MDG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC130N04-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7140pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7439DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@5.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC130N04-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7140pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM60N20-35_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6697}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MLG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC130N04-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7140pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：95，"21+"：4500，"23+"：1300}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB7440PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：3.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6697}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MLG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
