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    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10,"17+":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3480-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€84W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3600pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":123,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19447,"9999":997,"MI+":3000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF045N10A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@67A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9003NL,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9003NL,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订428个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订428个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12614,"23+":24142}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R405PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q

    功率:132W€960mW

    阈值电压:2.4V@500μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.3nF@22.5V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19447,"9999":997,"MI+":3000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF045N10A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@67A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN7110TR 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":44000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN7110TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€125W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R204PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA029N06NM5SXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA029N06NM5SXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":500,"23+":796,"24+":410}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA029N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5300pF@30V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@87A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR8503NL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR8503NL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.85mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":415}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF190N60-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR8503NL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR8503NL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.85mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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