品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10,"17+":200}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3480-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€84W
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":123,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19447,"9999":997,"MI+":3000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF045N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12614,"23+":24142}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R405PL,L1Q
功率:132W€960mW
阈值电压:2.4V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.3nF@22.5V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19447,"9999":997,"MI+":3000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF045N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":500,"23+":796,"24+":410}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA029N06NM5SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@30V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@87A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":415}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N60-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: