采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：10，"17+"：200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3480-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€84W
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：123，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19447，"9999"：997，"MI+"：3000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12614，"23+"：24142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R405PL，L1Q
功率：132W€960mW
阈值电压：2.4V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.3nF@22.5V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19447，"9999"：997，"MI+"：3000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：500，"23+"：796，"24+"：410}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA029N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@30V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@87A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：415}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8503NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
