采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
工作温度：150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
工作温度：150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000，"08+"：15230，"10+"：47314}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.29mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：37500，"04+"：2399，"08+"：4610，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：35075，"22+"：12950}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：67500，"23+"：2500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N60C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ160N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：3.5V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2625，"15+"：128500，"16+"：4390，"18+"：500，"MI+"：17000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
