品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":260,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3121}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN20ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@15V
连续漏极电流:9A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@15V
连续漏极电流:9A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:34V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:1.2A€2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ130N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ130N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15038}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP86R203NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.2W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86551L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: