品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":343141}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":66000}
包装规格(MPQ):544psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T1-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:散装
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":66000}
包装规格(MPQ):544psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T1-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:散装
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2590T1H-T2-AT
功率:1.24W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":22359,"13+":130700,"9999":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6433HTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@50V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2560T1H-T1-AT
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@50V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H3D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":343141}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":343141}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@50V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":22359,"13+":130700,"9999":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6433HTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2560T1H-T1-AT
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: