品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC019N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8600pF@40V
连续漏极电流:28A€237A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
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包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
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栅极电荷:117nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
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输入电容:8110pF@40V
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类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
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栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC019N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8600pF@40V
连续漏极电流:28A€237A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
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栅极电荷:117nC@10V
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输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC019N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8600pF@40V
连续漏极电流:28A€237A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC007N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:2.8V@1.05mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:48A€381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":478,"16+":77968,"17+":11946,"20+":329,"21+":500,"22+":396,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3545}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC019N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8600pF@40V
连续漏极电流:28A€237A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80R290C3AATMA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":478,"16+":77968,"17+":11946,"20+":329,"21+":500,"22+":396,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80R290C3AATMA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7504-40A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: