品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
输入电容:4.77nF@10V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@10V,32A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10246}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10246}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6705pF@30V
连续漏极电流:18A€56A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6240
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6550pF@20V
连续漏极电流:27A€85A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCB110P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5810pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
输入电容:4.77nF@10V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@10V,32A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":808}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: