采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8325TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2487pF@10V
连续漏极电流：21A€82A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"9999"：11，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0902NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：480，"20+"：2500，"22+"：2000，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0902NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S406ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ15T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：45.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：29A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1951，"14+"：6148，"15+"：19000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R420CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83.3W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R380C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI60R380C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：10.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS126DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1402pF@40V
连续漏极电流：12A€45.1A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S223ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@21A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R400CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：112W
阈值电压：3.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：14.7A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7675M2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€45W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@25V
连续漏极电流：4.4A€18A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@11A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S406ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
