品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4856N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.33W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2241pF@12V
连续漏极电流:13.3A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
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栅极电荷:27nC@4.5V
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连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2250}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4856N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.33W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2241pF@12V
连续漏极电流:13.3A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
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连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
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连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
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输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3228pF@15V
连续漏极电流:10A€50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: