品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@43µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:6.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260ET150
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1191,"23+":81}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:3.3A€16A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN2R703NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:2.3V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@22.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:3.3A€16A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP36N20X3M
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1425pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@50V
连续漏极电流:8.3A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":497}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€65W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":23400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@50V
连续漏极电流:8.3A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":867,"21+":3246}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ068N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€46W
阈值电压:3.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: