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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订1099个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订1099个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260ET150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订127个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订127个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1191,"23+":81}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订893个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订893个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订696个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订696个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:4.2A€5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R703NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R703NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R703NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP36N20X3M 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP36N20X3M 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP36N20X3M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1425pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD 起订337个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD 起订337个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":497}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订175个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订175个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":23400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1 起订296个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1 起订296个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":867,"21+":3246}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ068N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€46W

    阈值电压:3.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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