包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYH10N170CV1

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：84A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：160ns

关断损耗：700µJ

开启延迟时间：14ns

集电极截止电流(Ices)：1700V

栅极电荷：46nC

集电极电流(Ic)：3.8V@15V，10A

导通损耗：1.4mJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4709}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4709}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYH10N170CV1

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：84A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：160ns

关断损耗：700µJ

开启延迟时间：14ns

集电极截止电流(Ices)：1700V

栅极电荷：46nC

集电极电流(Ic)：3.8V@15V，10A

导通损耗：1.4mJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4709}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXYH10N170CV1

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：84A

关断延迟时间：130ns

反向恢复时间：160ns

关断损耗：700µJ

开启延迟时间：14ns

集电极截止电流(Ices)：1700V

栅极电荷：46nC

集电极电流(Ic)：3.8V@15V，10A

导通损耗：1.4mJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1