采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6892STRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：2.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@13V
连续漏极电流：28A€125A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：5.1A€7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6892STRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：2.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@13V
连续漏极电流：28A€125A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC606P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1699pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：5.1A€7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6892STRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：2.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@13V
连续漏极电流：28A€125A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000，"15+"：24400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16325Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@12.5V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17301Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：5.1A€7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4444P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：14A€70A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
