品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:22A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:22A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18513Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@20V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":198,"MI+":37}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:31.7A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":930}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF44N25TRDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:32.3A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":70,"21+":3200,"22+":16690}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5939}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7473TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA58ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@20V
连续漏极电流:32.3A€109A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9540GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@50V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3402-ZK-E1-AY
功率:1W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":70,"21+":3200,"22+":16690}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:22A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI076N15N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:112A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@56A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: