采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R2-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@40V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE013N04LM6CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€107W
阈值电压：2V@51µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：31A€205A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6643TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：6.2A€35A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@7.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD082N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：141W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2925pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R2-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@40V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ860EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@73A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：951，"22+"：979，"23+"：9833，"24+"：9190}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6643TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：6.2A€35A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@7.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2925pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：141W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
