品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€107W
阈值电压:2V@51µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:31A€205A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6643TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:6.2A€35A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@7.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:141W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@73A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":951,"22+":979,"23+":9833,"24+":9190}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6643TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€89W
阈值电压:4.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:6.2A€35A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@7.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:141W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: