采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：3816}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：3816}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2076}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PML340SN，118
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：386mΩ@2.6A，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：89600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB75N03RT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
