品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":3816}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB75N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A€75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":3816}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB75N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A€75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2076}
销售单位:个
规格型号(MPN):PML340SN,118
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:386mΩ@2.6A,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":89600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB75N03RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A€75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3404L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3070SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: