品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2050,"19+":18900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2520,"07+":216000,"08+":316500,"09+":1450,"10+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4121NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:5.25mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2520,"07+":216000,"08+":316500,"09+":1450,"10+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4121NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:5.25mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":158780}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7476TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1500,"09+":770}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804NA-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€93.75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":158780}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7476TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2520,"07+":216000,"08+":316500,"09+":1450,"10+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4121NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:5.25mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2050,"19+":18900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: