品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R130C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:102W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3.5V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y18-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:105W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2173pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2594}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@75V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@38A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N25CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2182,"19+":2484,"21+":970,"22+":4953,"23+":111800,"24+":3119,"MI+":3339}
包装规格(MPQ):434psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S308ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":9596,"16+":8500,"19+":3500,"MI+":340}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":9596,"16+":8500,"19+":3500,"MI+":340}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":9596,"16+":8500,"19+":3500,"MI+":340}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: