品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@15V
连续漏极电流:13A€30A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":22125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4906NA-35G
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@15V
连续漏极电流:10.3A€54A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA530PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":450,"21+":5}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK758R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2759,"23+":5719,"24+":1322}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1425pF@12V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R450P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:3.5V@220µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@500V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: