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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N03S4L04ATMA1 起订890个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N03S4L04ATMA1 起订890个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@70A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB12N65L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB12N65L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB12N65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDPF33N25T 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF33N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N03S4L04ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N03S4L04ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@70A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB33N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP15P10PHXKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP15P10PHXKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":500,"13+":3350,"14+":8904,"9999":157}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP15P10PHXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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