品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB12N65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":500,"13+":3350,"14+":8904,"9999":157}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP15P10PHXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: