品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1538}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:42ns
反向恢复时间:70ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,10A
导通损耗:100µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":34000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGR3B60KD2TRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):15.6A
关断延迟时间:110ns
反向恢复时间:77ns
关断损耗:39µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,3A
导通损耗:62µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":238,"9999":400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4610DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:75ns
反向恢复时间:74ns
关断损耗:122µJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:56µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":34000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGR3B60KD2TRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):15.6A
关断延迟时间:110ns
反向恢复时间:77ns
关断损耗:39µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,3A
导通损耗:62µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":34000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGR3B60KD2TRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):15.6A
关断延迟时间:110ns
反向恢复时间:77ns
关断损耗:39µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,3A
导通损耗:62µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":38500,"20+":10000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:9A
类型:MOSFET
导通电阻:702mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":350}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4610DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:75ns
反向恢复时间:74ns
关断损耗:122µJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:56µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":34000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGR3B60KD2TRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):15.6A
关断延迟时间:110ns
反向恢复时间:77ns
关断损耗:39µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,3A
导通损耗:62µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1538}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:42ns
反向恢复时间:70ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,10A
导通损耗:100µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":38500,"20+":10000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:9A
类型:MOSFET
导通电阻:702mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":38500,"20+":10000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R360P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:9A
类型:MOSFET
导通电阻:702mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
生产批次:{"13+":350}
规格型号(MPN):IRGS4610DPBF
开启延迟时间:27ns
反向恢复时间:74ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
集电极脉冲电流(Icm):18A
导通损耗:56µJ
关断损耗:122µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
关断延迟时间:75ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
功率:24W
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
栅极电荷:13nC
阈值电压:2V
导通电阻:54mΩ
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":238,"9999":400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4610DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:75ns
反向恢复时间:74ns
关断损耗:122µJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:56µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":350}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4610DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:75ns
反向恢复时间:74ns
关断损耗:122µJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:56µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14.2A
类型:MOSFET
导通电阻:54mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":238,"9999":400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4610DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):18A
关断延迟时间:75ns
反向恢复时间:74ns
关断损耗:122µJ
开启延迟时间:27ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:56µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":1538}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:42ns
反向恢复时间:70ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:13nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.5V@15V,10A
导通损耗:100µJ
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: