品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4410ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:袋
输入电容:4820pF@50V
连续漏极电流:97A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2535N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":34892}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP048NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3545N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:136mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@150mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0620N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0550N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:54mA
类型:P沟道
导通电阻:125Ω@10mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0604N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":9780}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:袋
输入电容:850pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@3.25A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2210N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":34892}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP048NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存: