采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6337-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA905P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3405pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@8.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：227394，"17+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3348-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：42441}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3383-TL-H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@1.5A，2.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM14N956L，EFF
工作温度：150℃
功率：1.33W
阈值电压：1.4V@1.57mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：16318}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD2104PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：467pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8308-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW€1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.14A€1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW€1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.14A€1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
