品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€73W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@40V
连续漏极电流:14.8A€64A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@40V
连续漏极电流:4.7A€12A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:3.8V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7670pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT300N08S5N012ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2252
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:576pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2206
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@29A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D230-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:1.9A€5.1A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y41-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@40V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@3.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6591,"23+":8740,"24+":7297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@40V
连续漏极电流:37A€331A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: