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    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10090BLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX24N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K 起订1个装
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K 起订1个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065100K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113.5W

    阈值电压:3.5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP7N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2590pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFT15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:6.5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9940pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP2N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:655pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120100K 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120100K 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120100K

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:83W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:350 pF @ 600 V

    连续漏极电流:22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 15A,15V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10N100D2 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10N100D2 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH10N100D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:695W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5320pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN32N100P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN32N100P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG40PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG40PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2.6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K 起订120个装
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K 起订120个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065100K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113.5W

    阈值电压:3.5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订120个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订120个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFT15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP5N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP5N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP5N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1830pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP5N100PM 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP5N100PM 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP5N100PM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1830pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@2.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT10021JFLL 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT10021JFLL 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10021JFLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:395nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9750pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN32N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN32N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10N100D2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH10N100D2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH10N100D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:695W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:5320pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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