品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.54W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:12V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.54W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA811ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€6.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:116mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:12V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ045N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD2110TT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1072pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2817,"18+":487048,"9999":35}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS65R950C6AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1345-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":116490}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8657-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@20V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:59mΩ@2A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA929DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6342-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6975,"9999":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K2P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: