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    连续漏极电流
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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 25A
    当前匹配商品:700+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订286个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR 起订500个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订411个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB5620PBF 起订411个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":866}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB5620PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR44N50Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR44N50Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR44N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:154mΩ@22A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT6025BVRG

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:275nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CPXKSA1 起订127个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CPXKSA1 起订127个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":139}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.5W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1533pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT8030JVFR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT8030JVFR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT8030JVFR

    阈值电压:4V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:510nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7900pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 FS45MR12W1M1B11BOMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 FS45MR12W1M1B11BOMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FS45MR12W1M1B11BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:6N-沟道(3相桥)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD600N25N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R090CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R090CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R090CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:124W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订1091个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25N06S4L30ATMA2 起订1091个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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