品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":866}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB5620PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:72.5mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR44N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:154mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2103pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6025BVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5160pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":139}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FS45MR12W1M1B11BOMA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:1840pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:6N-沟道(3相桥)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2103pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:124W
阈值电压:4.5V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2103pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87352Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.5W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: