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    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2450N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@400mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMHZGT116 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMHZGT116 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMHZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSC002P03T316 起订21000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSC002P03T316 起订21000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSC002P03T316

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSC002P03T316 起订6000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSC002P03T316 起订6000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSC002P03T316

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K31T2R 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K31T2R 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K31T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订18000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4001NT1G 起订18000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFU,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:285mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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