采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R504PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK065U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4V@1.69mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@300V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1500CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@75V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@19A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
