品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5540pF@15V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":46,"23+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YHE3-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6R003NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€34W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6R003NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€34W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5540pF@15V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R099C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@300V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M19-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1814pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: