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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE30GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4401PT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3422 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3422

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV130ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6250SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8810EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6250SE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6250SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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