品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3422
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3422
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3422
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV130ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@20V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8810EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@6V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: