采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：827，"05+"：23006，"07+"：536，"08+"：170，"11+"：151，"MI+"：239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：76，"18+"：38961，"19+"：43500，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21.2W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM240N03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9926A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：260，"18+"：11516，"23+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R750P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7474，"24+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25DP06LMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：28W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9926A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R750P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.7W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H300G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.6V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@8V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：760pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：312mΩ@5A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R750P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.7W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
