品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":76,"18+":38961,"19+":43500,"21+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA70R750P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:21.2W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@400V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":260,"18+":11516,"23+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPSA70R750P7SAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@400V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7474,"24+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R750P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6.7W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:21W
阈值电压:2.6V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@8V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:312mΩ@5A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS2002TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R750P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6.7W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2038USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1496pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: