品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV
工作温度:-55℃~155℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:21Ω@1A,10V
漏源电压:3000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUF020N02TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3423A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@4.5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J353F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:159pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC8002
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@32.5V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@500mA,5V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP2N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:655pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS5U13TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":45000,"16+":183000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3478-S-TL-H
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P90E,RQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.9Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1430-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020N06TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: