采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R070C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1181pF@20V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5140pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1181pF@20V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL540SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL540PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1134}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R070C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：405}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R070C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R070C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：258}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1739}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1752pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N03D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC28P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
