品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5140pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":405}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G120N03D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":258}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5.7V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@18V
包装方式:管件
输入电容:744pF@400V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@13.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1739}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1752pF@400V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G120N03D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC28P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E280BNTB
工作温度:150℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7148DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@35V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: