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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA28N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5140pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@14A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL540SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL540SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL540PBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL540PBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订1058个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订1058个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1134}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":405}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N03D3

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R072M1HXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R072M1HXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":258}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R072M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5.7V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:744pF@400V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@13.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R090CFD7XTMA1 起订158个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R090CFD7XTMA1 起订158个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1739}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R090CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4.5V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1752pF@400V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N03D3 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N03D3

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC28P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E280BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E280BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E280BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5R906NH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5R906NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7148DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7148DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7148DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@35V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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