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    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:164W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@400V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2033 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2033 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2033

    阈值电压:2.5V@9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@75V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M12-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M12-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M12-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:979pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY48P05T 起订140个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY48P05T 起订140个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY48P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3660pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@24A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2032 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2032 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2032

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@50V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R803PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ

    功率:830mW€69W

    阈值电压:2.1V@200μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.975nF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK4080-ZK-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK4080-ZK-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4080-ZK-E1-AY

    功率:29W€1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@12V

    输入电容:1.67nF@10V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2032 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2032 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2032

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@50V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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