品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R060P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:164W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2895pF@400V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2033
阈值电压:2.5V@9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@75V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,5V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4013pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY48P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@24A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2032
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4080-ZK-E1-AY
功率:29W€1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@12V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: