采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：69000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7323，"08+"：1037，"20+"：24000，"22+"：448000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@20V
连续漏极电流：860mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"07+"：7323，"08+"：1037，"20+"：24000，"22+"：448000}
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：860mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
输入电容：458pF@16V
漏源电压：20V
功率：170mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：860mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
输入电容：458pF@16V
漏源电压：20V
功率：170mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：860mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
输入电容：458pF@16V
漏源电压：20V
功率：170mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
输入电容：34pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：860mA
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：410mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290XN，115
输入电容：34pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：860mA
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：410mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
