品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":151765}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
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输入电容:34pF@20V
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类型:2N沟道(双)
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":69000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
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栅极电荷:5.6nC@4.5V
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输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
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连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
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导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":151765}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
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类型:P沟道
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漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
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功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
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漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
输入电容:34pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:860mA
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:410mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
输入电容:34pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:860mA
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:410mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: