品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2045
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:685pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2045
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:685pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R160CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO040N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":750}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP16N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:330W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S4L61AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G120P03S2
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:16A
类型:2个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350LCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S461AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6802SDTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@35µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@13V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@16A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":28500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R199CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG16N10S461AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:3.5V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:61mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG16P03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":113598,"13+":950}
包装规格(MPQ):65psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2
功率:29.9W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:988pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K52-60RAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:32W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: