采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD5T40P
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：273pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：66000，"13+"：93456}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB42UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：115，"21+"：9000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1055UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1028pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J377R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD5T40P
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：273pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：276pF@15V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
