品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5939}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7473TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:722pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLTS2242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: