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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20ENAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTQD6968NR2 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTQD6968NR2 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTQD6968NR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@16V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20ENAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N60C3XKSA1 起订298个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N60C3XKSA1 起订298个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3964}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP06N60C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.9V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@50V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订1840个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订1840个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"19+":152995,"21+":22495,"22+":107995,"23+":63000,"MI+":22500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4421

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4421

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7241TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7241TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7241TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3860 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3860

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@50V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订9000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订9000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4421

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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